本文摘要：近年来，DRAM供货严重不足，价格居高不下，在去年底，就爆出国家发改委曾约谈三星，注目储存芯片价格问题。

近年来，DRAM供货严重不足，价格居高不下，在去年底，就爆出国家发改委曾约谈三星，注目储存芯片价格问题。在近日，又有双方签订MOU的消息，市场预期将有可能诱导DRAM价格。

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）认为，内存价格涨势沿袭多达6季上升，导致许多中国手机厂致使成本压力，因而惹来政府注目，将有可能使今年第一季的DRAM价格受到诱导。而目前三星是全球仅次于的存储器芯片厂商，有将近48％的全球市占率。DRAMeXchange研究协理吴雅婷认为，中国的存储器市场不管是内需或外销，都已更加最重要，目前供货商在生产移动内存的利润已近高于其他类别产品，而第一季智能手机市场需求也很下滑，预期未来价格涨幅将不受诱导。

且为应付中国方面对于内存价格持续下跌所传达的强烈不满，对供货商而言，成本上升容易的考虑到下，扩展生产能力的可能性将大幅提高。MOU牵涉到价格不过来自于《集微网》的消息认为，曾向政府检举高通独占的手机中国联盟秘书长王艳辉回应，近期发改委与三星签订的MOU牵涉到价格问题，是高技术局与三星之间有关半导体领域的涉及技术合作，及不断扩大在中国投资等议题，而非价监局的手笔。的确价监局曾多次就DRAM涨价一事约谈过三星，但现在尚能无法确认不会对三星采行何种措施，如果三星被证实参予价格操控，那发改委某种程度很可能会展开惩处。目前市场分析指出，今年追加的DRAM生产能力，还无法跟上市场需求，特别是在是物联网和高速运算应用于，都必须高速内存芯片反对，无论是DRAM或NANDFlash今年在供货放开且市场需求减的情况下，有望更进一步推升出货量，预计涉及业者营收还是非常务实。

台湾工研院产业趋势中心也指出，今年虚拟世界货币挖矿业者也重新加入扫货，服务器市场需求依然强大下，预估今年全球DRAM产值不会再行茁壮23％，虽然涨幅不如去年，但主要供应商跃进仍有节制，预计平均值销售单价仍不会上升近32％，年产值约900亿美元，将录创意低。不过DRAMeXchange也认为，由于三星、东芝、英特尔、长江存储等都大力拓展NANDFlash所以未来生产能力效应将并转趋显著，特别是在3D－NANDFlash生产能力将有可能缩减到，难道在2019年就不会经常出现供过于求的状况。

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